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Mehrschichtige Verdrahtung mit hoher Dichte:
Der HTCC-Prozess kann das gemeinsame Brennen von mehrschichtigen Keramiken und die Verbindung zwischen den Schichten durch metallisierte Durchkontaktierungen realisieren, was eine hohe Verdrahtungsdichte bietet und komplexe Anforderungen an das Schaltungsdesign erfüllt.
Ausgezeichnete thermische Stabilität:
Aluminiumoxidkeramik weist bei hohen Temperaturen eine stabile Leistung auf und ihr Wärmeausdehnungskoeffizient entspricht dem von Siliziumwafern, wodurch sie für den Einbau von Hochleistungskomponenten geeignet ist.
Hohe mechanische Festigkeit:
Das bei hoher Temperatur gemeinsam gebrannte Keramiksubstrat ist dicht und fest, weist eine hervorragende Biegefestigkeit auf und hält den mechanischen Belastungen bei nachfolgenden Montageprozessen stand.
Optische Kommunikations- und optoelektronische Module:
Es eignet sich für Substrate optoelektronischer Komponenten und Schaltungssubstrate optischer Module und bietet hochdichte Verbindungs- und Wärmeableitungsplattformen.
Industrieelektronik:
Es kann als Wärmeableitungssubstrat für Hochleistungsgeräte wie Leistungsmodule verwendet werden, um einen hochzuverlässigen Betrieb zu unterstützen.
Industrie und Luft- und Raumfahrt:
Es eignet sich für Anwendungsszenarien mit hoher Zuverlässigkeit und Stabilität, beispielsweise in der Industriesteuerung und in der Luft- und Raumfahrtelektronik.
Ausgereifte HTCC-Co-Firing-Technologie:
Durch den Einsatz des ausgereiften HTCC-Hochtemperatur-Co-Firing-Verfahrens weist das Grundmaterial eine hohe Dichte, eine starke Bindungskraft zwischen den Schichten und eine gute Dimensionsstabilität auf.
Hervorragende Kühlung und thermische Anpassung:
Aluminiumoxidkeramik verfügt über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und einen auf den Wafer abgestimmten Wärmeausdehnungskoeffizienten, was die thermische Belastung reduziert und die Bauteilzuverlässigkeit verbessert.
Kundenspezifische Dienstleistungen für den gesamten Prozess:
Es verfügt über umfassende Funktionen vom Verkabelungsdesign über die Grünbandverarbeitung, das gemeinsame Brennen bis hin zur Nachmetallisierungsverarbeitung und bietet kundenspezifische Anpassungen aus einer Hand.
Das Funktionsprinzip des HTCC-Keramiksubstrats ist eine multifunktionale Plattform, die elektrische Verbindungen, Wärmeableitung und mechanische Unterstützung für elektronische Komponenten bietet. Das Substrat besteht aus gestapelten Schichten aus grünem Aluminiumoxid-Keramikband, wobei auf jeder Bandschicht ein Metallisierungsmuster aufgedruckt ist und elektrische Verbindungen zwischen den Schichten über mit Metallisierungspaste gefüllte Durchkontaktierungen bestehen.
Die gestapelten Grünkörper werden bei hohen Temperaturen gemeinsam gebrannt, um die Keramikverdichtung und Metallisierungssinterung zu vervollständigen und so ein integriertes mehrschichtiges Keramiksubstrat zu bilden. Der Chip wird mit Lot oder leitfähigem Kleber auf einem Metallpad auf der Oberfläche des Substrats montiert und durch Drahtbonden mit der internen Substratverkabelung verbunden. Die hohe Wärmeleitfähigkeit des Keramiksubstrats leitet die Wärme der Komponenten effektiv ab, und der hohe Isolationswiderstand gewährleistet die elektrische Isolierung zwischen den Schaltkreisen, was das Substrat zu einer idealen Trägerplattform für Hochleistungsschaltkreise mit hoher Dichte macht.
| Parameterspezifikationen | |
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| Material | Aluminiumoxidkeramik (Al2O₃) |
| Verfahren | HTCC-Hochtemperatur-Co-Firing-Keramik |
| Temperaturbeständigkeit | Hohe thermische Stabilität |
| elektrische Isolierung | > 5000 MΩ bei 100 V Gleichstrom |
| Dimensions | Kundenspezifisches Design verfügbar |
| Paket | Standardverpackung |
| Anwenden | Optische Kommunikation, Industrieelektronik, Industrie und Luft- und Raumfahrt |