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Dual-Die-Integration:
Durch die Integration von zwei Laserdioden-Chips in ein Gehäuse können der Platzbedarf und die Kosten des Systems im Vergleich zu zwei separaten Gehäusen erheblich reduziert werden.
Hochzuverlässiges Design:
Es wird unter Verwendung hochzuverlässiger Materialien und Prozesse hergestellt und strengen Qualitätskontrollen und Zuverlässigkeitstests unterzogen, um einen langfristig stabilen Betrieb zu gewährleisten.
Kompakte Struktur:
Durch die Dual-Chip-Integration wird die Verpackungsstruktur kompakter und trägt so zur Miniaturisierung und Gewichtsreduzierung des gesamten Systems bei.
Industrielle Fertigung:
Wird bei der Materialbearbeitung, beim Schweißen, Schneiden und anderen Präzisionsfertigungsprozessen verwendet. Besonders geeignet für die Verarbeitung unterschiedlicher Materialien und die hochpräzise Mikrobearbeitung.
Optische Kommunikation und Sensorik:
Wird in der Wellenlängenmultiplex-Kommunikation (WDM), der faseroptischen Sensorik, der Multiparameter-Erkennung und industriellen Überwachungssystemen verwendet.
Medizinische Lasergeräte:
Bietet kompakte, effiziente Multiwellenlängenlösungen für medizinische Lasergeräte, die eine Multiwellenlängenbehandlung erfordern.
Sparen Sie Platz und Kosten im System:
Die Konsolidierung von zwei Laserdioden in einem einzigen Gehäuse reduziert den PCB-Fußabdruck und die Systemkosten erheblich und erhöht gleichzeitig die Systemintegrationsdichte.
Flexible Anpassungsmöglichkeiten:
Unterstützen Sie individuelles Design entsprechend den Kundenanforderungen, einschließlich Chipauswahl, Konfiguration des optischen Pfads, Pin-Definition usw.
Hervorragendes Wärmemanagement:
Jeder Chip verfügt über einen unabhängigen Wärmemanagementpfad, kombiniert mit einem optimierten Wärmeleitungsdesign, um eine effektive Wärmeableitung unter Dual-Chip-Betriebsbedingungen zu gewährleisten.
Dual-Laserdiodenpakete kombinieren zwei separate Laserdiodenchips in einem einzigen Gehäuse, jeweils mit eigenen elektrischen Anschlüssen, Wärmemanagementpfaden und Glasfaser-Ausgangsschnittstellen. Die beiden Wafer können unabhängig voneinander gesteuert werden oder je nach Anwendungsanforderungen koordiniert arbeiten.
Im Redundanzmodus gewährleistet das System einen kontinuierlichen, unterbrechungsfreien Betrieb. Im Leistungskombinationsmodus wird die Leistung der beiden Wafer durch die Strahlkombinationskomponente kombiniert, um eine höhere Ausgangsleistung zu erzielen. Das Design des optischen Pfads innerhalb des versiegelten Gehäuses erfordert eine präzise Steuerung des optischen Ausgangspfads jedes Chips, um die Qualität und Stabilität des endgültigen Ausgangslichtflecks sicherzustellen.
| Parameterspezifikationen | |
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| Material | Kovar-Legierung, Kupfer-Wolfram-Legierung (CuW) |
| strukturelles Design | BOX-Hohlraum |
| Temperaturbeständigkeit | Hohe thermische Stabilität |
| Luftdichtheit | ≤1×10⁻⁹Pa·m3/s |
| elektrische Isolierung | > 5000 MΩ bei 100 V Gleichstrom |
| Oberflächenbehandlung | Vernickelung, Vergoldung |
| Dimensions | Kundenspezifisches Design verfügbar |
| Paket | Standardverpackung |
| Anwenden | Industrielle Fertigung, optische Kommunikation und Sensorik, medizinische Lasergeräte |